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IXTR48P20P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
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? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
IXYS REF: T_48P20P(B7) 5-13-08
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IXTR90P20P 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -200V 0.048 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT02N450HV 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET
IXTT100N25P 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT10N100D 功能描述:MOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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